GPU性能到制程工艺技术 参考文献链接 https://mp.weixin.qq.com/s/gyLzQhW0mZxKXtCUau3ScQ https://mp.weixin.qq.com/s/-4Xz6gfV8UKx9M2LB_r5Aw https://mp.weixin.qq.com/s/BrkOM1CjeUDtK3ux4tVckA https://mp.weixin.qq.com/s/wWCxTwibJ70Da-OdfwCYlw 消费级GPU运行1760亿参数
图示芯片制程技术流程 参考链接 https://mp.weixin.qq.com/s/MbbPRzjj66HGNUW8sgIvng https://mp.weixin.qq.com/s/Qs5
各种小芯片Chiplet的机遇 进入后摩尔定律时代，先进封装成为半导体产业的新显学，小晶片的异质整合商机更是众厂商磨刀霍霍的兵家必争之地。 在半导体芯片制造的过程中，当芯片从晶圆厂被生产出来之后，必须经过最后一道非常关键的步骤，才能变成具备不同功能的元件，这个步骤就是：封装测试。所
三星芯片制造深陷良率泥沼 Intel、三星、台积电之类的，做IC芯片制造的，良率大概在多少呢？ 各种不同芯片（内存、CPU等）是不一样的。 首先除了wafer良率，还会有封装良率，凡是大批量制作的东西，都会有不确定性。 其次，良率没有统一规定，跟生产线，测试要求，测试程序都有关联。不过一般一个成熟的产
光刻机与芯片制造竞争 新一轮EUV光刻机争夺战开打 在全球范围内，作为EUV光刻机的唯一供应商，ASML在业内受到的关注度越来越高，特别是以台积电为代表的先进制程发展得风生水起的当下，ASML的重要性与日俱增。 ASML发布了2021第四季度和全年财报，内容是一如既往的亮眼。该公司2021年第四
什么是 FET？ FET 的全名是“场效电晶体（Field Effect Transistor，FET）”，先从大家较耳熟能详的“MOS”来说明。MOS 的全名是“金属－氧化物－半导体场效电晶体（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）”，构造如图一所示，左边灰色的区域（矽）叫做“源极（Source）”，右边灰色
GAAFET与FinFET架构 三星3纳米成功流片！GAA架构 在2021年技术论坛上台积电强调3 纳米制程将照时程于2022 下半年正式量产。作为竞争对手的韩国三星也在积极加快3纳米量产进程。 据外媒报道，三星日前表示，采用GAA 架构的3 纳米制程技术已正式流片（Tape Out），对全球只有这两家能做到5 纳米
TSMC台积电各种制程工艺技术 台积电在半导体制造行业的专用 IC 代工领域拥有最广泛的技术和服务。IC Industry Foundation 战略体现了一种集成方法，将工艺技术选项和服务捆绑在一起。 台积电与合作伙伴合作，确保支持这些技术的所有服务代表专用 IC 代工领域的最佳实践。为此，台积电及
瑞芯微RK3568芯片是一款定位中高端的通用型SOC，采用22nm制程工艺，集成4核arm架构A55处理器和Mali G52 2EE图形处理器，支持4K解码和1080P编码。RK3568支持SATA/PCIE/USB3.0等各类型外围接口，内置独立的NPU，可用于轻量级人工智能应用。RK3568支持安卓11和linux系统，主要面向物联网网
工艺技术：14nm与28nm工艺 中芯国际，用成熟可靠的工艺技术实现日趋精细复杂的芯片设计，从而让产品在具备更高性能和更低功耗的同时，实现芯片尺寸的优化。 为了满足全球客户的不同需求，提供0.35微米到14纳米制程工艺设计和制造服务，包括逻辑电路、混合信号/CMOS射频电路、高压电路、系统级
FinFET与芯片制程 芯片制造商已经在基于 10nm 和/或 7nm finFET 准备他们的下一代技术了，但我们仍然还不清楚 finFET 还能坚持多长时间、用于高端设备的 10nm 和 7nm 节点还能延展多久以及接下来会如何。 在 5nm、3nm 以及更小节点，半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题。即
摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.4 远程等离子源也称为远程高密度等离子发生器，它是半导体、芯片制造过程中的核心装备。它用离化后的氟来清洗沉积在芯片结构内部的硅粉尘。在半导体、芯片等制程中，随着时间的增加，在芯片内部和表面都
1通信参数 本文档主要用于解析CK-UR08-E00系列读卡器自由协议内容，用户可根据该定义按照实际需求进行使用。 表 1.1 通信参数 IP地址 默认：192.168.1.80（建议通过配置软件搜索） 通信端口 500 通信协议 TCP 2通信协议数据包格式 表 2.1 通信协议数据包格式 Head Len Device Cmd D
酷睿i5-9400F基于14nm++制程工艺，原生6核6线程，默认主频2.9Ghz，最大睿频4.1Ghz，设计功耗65W，无内置核心显卡 组装电脑 选r5 3600还是i5 9400f这些点很重要!看完你就知道http://www.sangpi.com/R5 3600是一款六核十二线程台式机CPU，这款CPU采用7nm制程，Zen2核心架构。CPU采用am4接口，主频3.6
酷睿i5-9400F基于14nm++制程工艺，原生6核6线程，默认主频2.9Ghz，最大睿频4.1Ghz，设计功耗65W，无内置核心显卡 组装电脑 选r5 3600还是i5 9400f这些点很重要!看完你就知道http://www.sangpi.com/R5 3600是一款六核十二线程台式机CPU，这款CPU采用7nm制程，Zen2核心架构。CPU采用am4接口，主频3.6
2017 年，IBM 联合三星和 GlobalFoundries 推出了首个 5nm 制程工艺的芯片。仅仅过去不到四年，IBM 又率先公布 2nm 芯片制造技术，不仅具有更高的晶体管密度，而且采用了全新的 GAA 工艺设计。与当前 7nm 和 5nm 相比，2nm 在性能和功耗上均显著提升，将为半导体行业注入新的活力。 作为计
5月6日，IBM率先推出了首个2nm制程工艺芯片，性能预计提升45%，能耗降低75%，那么是真的做出了2nm还是在吹牛/部分真相？为什么会带来如此的效果提升呢？ 首先，一般来讲,X-nm指的是栅极的宽度。考虑到隧穿效应和原子尺寸，物理极限肯定是存在的，几年前一直在说的7nm极限指的是硅工艺的极限，新
本文转载自IT之家，IT之家 3 月 10 日消息 据选股宝报道，从供应链获悉，中芯国际 14nm 制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺，水准达约 90%-95%。目前，中芯国际各制程产能满载，部分成熟工艺订单已排至 2022 年。 IT之家获悉，3 月 3 日，中芯国际发布公告称，公司就购买用于生产晶圆的阿斯
cpu算力 起源 偶尔翻到一篇知乎，对各种跑分来了兴致 2020.12.1 刚刚11代intel、AMD Zen3、苹果M1都已经过去一阵，NVIDA的3系列显卡和RadeonRX显卡热火朝天。 我也来凑凑热闹，看看各个厂商最强旗舰都是啥来头。 背景 据木头龙所说，现在cpu构架设计很稳定一直是在20年前P6/K7基础上
来源【IT之家】 北京时间下午16:30，华为在德国柏林的IFA展上，正式发布了麒麟990 5G版芯片。作为第一个完全集成了5G基带的移动处理芯片 华为首款旗舰5G SoC芯片，7nm+ EUV工艺制程3，首次将5G Modem集成到SoC上，方寸之地集成了约103亿晶体管4，如发丝作画，非奇迹而不为。承袭并进
早期智能手机嵌入式存储主流方案为NAND，即把SLC NAND Flash与低功耗DRAM封装在一起，具有生产成本低、技术相对成熟等优势，随着科技和智能设备的发展，SLC NAND Flash已很难满足手机对存储容量的需求，eMMC采用统一的MMC标准接口，将存储芯片(NAND Flash)及其控制芯片封装在一颗BGA芯片内。 e
制程工艺哪家强？英特尔：额......你猜猜？ https://www.cfan.com.cn/2020/0305/133535.shtml CFan 电脑爱好者 2020-03-05 09:53产品 标签：英特尔 制程 工艺 曾经，英特尔一直是制程工艺领域的风向标，在14nm节点以前，无论台积电还是三星都难掩它的锋芒。 英特尔在早些年一直在引
据羊城晚报报道，近日中芯国际从荷兰进口的一台大型光刻机，顺利通过深圳出口加工区场站两道闸口进入厂区，中芯国际发表公告称该光刻机并非此前盛传的EUV光刻机，主要用于企业复工复产后的生产线扩容。 我们知道EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中
原文链接：http://www.techweb.com.cn/it/2019-08-06/2747980.shtml 华为海思正全力开发更多芯片 包括电脑用的CPU与GPU 8月6日下午消息，据台湾媒体报道，过去10年华为坚持自主研发芯片的大计，已由旗下海思完成大半。不过近期在台湾半导体上、下游产业链中
从光刻机的发展，看懂ASML为何是不可取替 http://mini.eastday.com/mobile/171230223351249.html# 2017-12-30 22:33 来源：半导体行业观察 阿斯麦(ASML.O)是全球最大的半导体光刻机设备及服务提供商，在细分领域具备垄断地位。总部位于荷兰费尔德霍芬(Veldhoven)，是飞
