编辑：ll GBU8K-ASEMII家电电源专用器件GBU8K 型号：GBU8K 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 特性：整流桥 正向电流：8A 反向耐压：1000V 恢复时间：ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：95MIL 浪涌电流：200A 漏电流：>10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：500/盒；5000/箱 备受欢迎的GBU8K整流桥 ASEMI品牌GBU8K整流
编辑-Z ASEMI快恢复二极管ES5JB参数： 型号：ES5JB 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：5.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：47℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +150℃ 最大瞬
步进电机的噪音来自哪里? 由于步进电机由于结构简单、控制方便、安全性高、成本低、停止时候力矩大、在低速情况下不需要减速机就可以输出很大的力矩、相比直流无刷和伺服电机，步进电机不需要复杂的控制算法也不需要编码器反馈情况下可以实现位置控制。被用在很多要求精确定位的场
线路光纤差动保护装置的作用 线路光纤差动保护装置是以光纤电流差动保护、电流、电压保护及三相重合闸为基本配置的成套线路保护装置。适用于110KV以下电压等级的非直接接地系统或经电阻接地系统中的方向线路保护及测控，可在开关柜就地安装，也可组屏安装于控制
电能质量在线监测装置产品概述： 随着我国国民经济的蓬勃发展，电力负荷急剧加大，特别是冲击性和非线性负荷容量的不断增长，使得电网发生波形畸变、电压波动与闪变和三相不平衡等电能质量问题。公司推出的电能质量监测装置是一台多功能电能质量测试分析仪器。 电能质
编辑：ll SKBPC3516-ASEMI充电桩专用整流桥SKBPC3516 型号：SKBPC3516 品牌：ASEMI 封装：SKBPC-5 正向电流：35A 反向电压：1600V 引脚数量：5 芯片个数：5 芯片尺寸：180MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：425A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.1V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包
编辑-Z ASEMI整流桥KBP410参数： 型号：KBP410 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：4A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（ReJA）：40℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：1.1V 最大直流反向电
编辑-Z KBJ610在KBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款热水壶专用整流桥。KBJ610的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBJ610采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBJ610的电性参数是：正向电流(Io)为6A，反向耐压为1000V，正向电压(
编辑：ll GBPC2510W-ASEMI马达专用方桥GBPC2510W 型号：GBPC2510W 品牌：ASEMI 封装：GBPCW-4 正向电流：25A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：140MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：300A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.1V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包装方
编辑-Z GMK3045是一款光伏防回流二极管。GMK3045的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GMK3045采用金属硅垒芯片，典型热阻（ReJA）为1.5℃/W。GMK3045的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为45V，正向电压(VF)为0.5V。 GMK3045参数描述 型号：GMK
编辑-Z ASEMI光伏二极管GMK4045参数： 型号：GMK4045 重复峰值反向电压（VRRM）：45V 最大有效值电压（VRMS）：31.5V 平均整流输出电流（IO）：40A 浪涌（非重复）正向电流（IFSM）：600A 热阻（典型值）（ReJA）：1.5℃/W 储存温度范围（Tstg）：-40 to +175℃ 峰值正向电压（VFM）：0.5V 峰值反向电流（IR）：0.1mA GMK4045规格尺寸：
编辑：ll KBPC1510W-ASEMI金属壳针脚方桥KBPC1510W 型号：KBPC1510W 品牌：ASEMI 封装：KBPCW-4 正向电流：50A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：120MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：300A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.05V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包装
编辑：ll GBJ5010-ASEMI充电桩专用整流桥GBJ5010 品牌：ASEMI 封装：GBJ5010 正向电流：50A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：190MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：400A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.05V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：250/盒；2500/
编辑-Z ASEMI整流桥GBPC5010W参数： 型号：GBPC5010W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最
编辑-Z ASEMI整流桥GBPC2510W参数： 型号：GBPC2510W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.9℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最
0. 前言 1. 报文解析 报文组成 一般报文主要有以下几个参数（比较全的情况下） 序号 通道 方向 帧格式 帧类型 数据长度 帧ID 帧数据 时间 例 解析报文时主要用到的是帧ID和帧数据 帧ID 接收到的帧ID是十六进制的形式，由29位标识符转换的，目前大多数的通信协议中都直接给出了相应
上拉电阻与下拉电阻 上拉电阻 上拉电阻的作用： 如上图所示，上拉电阻的电路示意。其作用由如下所示： 电平转换 高电平的转换。比如有VDD(3.3v)转换到VCC(5v)。 钳位 通过电压上拉，将不确定电平钳位在高电平，通过限流电阻来限制电流。 提高驱动能力 信号在传递过程中，存在链路上的
编辑：ll GBL610-ASEMI适配高端电源桥堆GBL610 品牌：ASEMI 封装：GBL610 正向电流：6A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：88MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：100A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.1V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：500/盒；5000/箱 GBL6
编辑：ll GBL210-ASEMI机箱电源适配器整流桥GBL210 型号：GBL210 品牌：ASEMI 封装：GBL-4 特性：整流扁桥 正向电流：2A 反向耐压：1000V 恢复时间：ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：60MIL 浪涌电流：60A 漏电流：5ua 工作温度：-50℃~150℃ 包装方式：500/盒；5000/箱 备受欢迎的GBL210整流桥 ASEMI品牌GBL
编辑-Z ASEMI整流桥GBJ5010参数： 型号：GBJ5010 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬
编辑-Z GBJ3510在GBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是165MIL，是一款家电电源用整流桥。GBJ3510的浪涌电流Ifsm为350A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBJ3510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBJ3510的电性参数是：正向电流(Io)为35A，反向耐压为1000V，正
编辑：ll TPA3045-ASEMI光伏二极管TPA3045 型号：TPA3045 品牌：ASEMI 封装： 特性：光伏二极管 正向电流：30A 反向耐压：45V 恢复时间：ns 引线数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：300A 漏电流：>10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：30/管；1000/箱 备受欢迎的TPA3045-ASEMI光伏二极管 ASEMI品牌TPA
编辑-Z DB307S在DBS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是72MIL，是一款贴片整流桥。DB307S的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DB307S采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。DB307S的电性参数是：正向电流(Io)为3A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1
数据来源：【一个实验搞明白PCB走线应该画多宽】https://www.bilibili.com/video/BV1G34y1n7Eq?spm_id_from=333.1007.top_right_bar_window_history.content.click&vd_source=fdcbddfb2d551f44b25063b110d25402 铜皮厚度：1oz(35um) 测试板厂：嘉立创
编辑-Z KBPC1510在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款单相整流方桥。KBPC1510的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC1510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC1510的电性参数是：正向电流(Io)为15A，反向耐压为1000V，正
