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当温度升高或受到完的照射时,束缚电子能量增高,有的电子能够挣脱原子核的束缚,而介入导电,成为自由电子 自由电子产生的同时,在其原来的共价键中便表现了一个空位,称为空穴.
一、本征半导体掺杂 形成空穴。并且正三价离子无法移动，成为受主离子。即，每掺入一个三价离子，就产生一个空穴。P型半导体不带电：掺入一个B原子之后，B得到一个电子，-1价。Si失去一个电子，+1价。中和不显电性。 掺入磷原子，多出一个自由电子。因此电子为多子，空穴为少子。 由于扩散作
摘要：P型半导体和N半导体接触面区域，少子扩散运动和多子扩散运动达到平衡的区域就是PN节，PN节具有单项导电的作用。 正文： 1、半导体具有热敏、光敏、掺杂特性； 2、杂质半导体的导电特性优于本征半导体； 3、半导体导电由自由电子和空穴共同完成； 4、PN结形成的过程及内部载流子的运动过程
锂离子电池的快充性能对下一代储能系统至关重要。对于传统的石墨负极，低的工作电位（< 0.2 V）导致锂金属的沉积引起的安全隐患，限制了其在快充锂离子电池体系中的应用。钛酸锂具有高的工作电压（1.55 V），规避了石墨负极低电位下析锂的安全问题，然而，其高工作电
实验拓扑图： 实验配置思路： 将VLAN10配置为本征VLAN 实验摘要重点命令： [SW1]int g0/0/1 //进入接口 [SW1-GigabitEthernet0/0/1]port trunk pvid vlan 10 //将VLAN10设置为本征VLAN [SW1-GigabitEthernet0/0/1]quit //退出 [SW1] 实验详细配置步骤： 配置PVID SW1
一.理解pvid,native vlan和tag各自的含义 1.Pvid 和 native vlan都叫缺省VLAN，也可以叫默认VLAN（一般为 VLAN 1）； 2.Paid 英文为（ port-base vlan id），可以理解为VLAN局域网中交换机端口的ID号； 3.Pvid 华为交换机的缺省VLAN被称为Pvid ，而CISCO思科的缺省VLAN被称为Native vlan(本征v
最近在搞比赛，学得实在是太累了，现在虽然单片机能运用但是没有完全学透，所以单片机那边暂时停更。随便学点模电来换换脑子，倒也不至于生活乏味。这个学习笔记主要是根据童诗白先生写的书，废话不多说，我们直奔主题。半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。换句话说，半导体器件是干啥
硅晶体，本征半导体（因为要求制作不同类型的半导体器件，所以要先在纯硅的硅基上进行参杂） 漂移（外加电场），扩散（内建电场） 电容效应，耗尽层 影响，温度 价带，导带，禁区（空穴使得价带导电成为可能）
学电子的对晶体管、PN结不能说陌生，但当初课堂上学的时候对电子空穴的运动超难想象，这些半导体器件内部到底是如何工作的? 半导体 材料取自于元素周期表中金属与非金属的交界处。常温下半导体导电性能介于导体与绝缘体之间。 本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征
1.半导体： 导电能力介于绝缘体与导体之间的物质。 本征半导体： 本征半导体就是完全纯净的半导体。 本征激发使空穴和自由电子成对产生，相遇复合时，又成对的消失。 外加电压U形成电子电流和空穴电流。 小结： 半导体中
摘要： 本节重点在于左右像点之间的约束关系，左右像素点之间的约束关系。 本征矩阵E和基本矩阵F可以分别表示上述两约束关系 如非必要，可只看总结 Epipolar geometry is a description of the geometric relationship between a pair of stereo images. It is represented b
本征半导体就是纯净的半导体，不掺杂质的半导体 note:（1）本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差；（2）温度愈高，载流子数目越多，半导体的性能也就越好。 杂质半导体 对于4价半导体，可惨杂3价和5价元素，当掺杂5价元素后，自由电子数目大量增加，自由电子导电称为这种半导体的主要导电方式，称为电子
