二极管正向特性：整流和限幅、加交流等等，反向特性：稳压， 二极管正向特性也可以稳压，为什么还用二极管的反向击穿区稳压？ 答：因为二极管的正向稳压相对单一，Ge管0.1到0.3，Si管0.6~0.8，不可以调节。而反向击穿电压可以调节掺杂浓度等等，该变击穿电压。 像之前说的雪崩击穿是掺杂浓度低，所以击
温度越高，雪崩击穿所需要的击穿电压越高，因为温度升高导致晶格也在震，让自由电子容易碰到干扰物，行程变短。为了在短行程内获取更大的能量好去撞出价电子，需要加大电压。 温度越高，齐纳击穿所需要的击穿电压越低。因为齐纳击穿本身就是把价电子拉出来，温度越高，越容易。 为什么不用
编辑：ll DB207S-ASEMI手机快充适配器标配整流桥 型号：DB207S 品牌：ASEMI 封装：DBS-4 电性参数：2A 1000V 正向电流：2A 反向耐压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：小方桥、贴片桥堆 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 DB207S-ASEMI 40W手机快充适配器标配整流桥
2.4 半导体二极管 二极管是半导体，其电阻会随着温度的升高而减小 当超过正向压降时，电流会随着电压的增加而快速增长 稳压管正常工作时工作在反向截止区 二极管最主要的特征是单向导电性，与此相关的两个主要参数是正向导通压降UF和反向饱和电流Is P到N是通的 PN结相当于一个电阻和一
静电是电子产品中的“隐形破坏者”，直接影响到产品的稳定性和可靠性。为此，静电防护成为了电子工程师必做的功课之一。那么，最有效的ESD静电防护方法是什么呢？那就是在电子设备的连接器或端口处安装外部静电保护元件——ESD静电保护二极管。ESD二极管种类繁多，型号齐全。根据封装，可分为
编辑：ll ABS210-ASEMI高品质贴片整流桥堆 型号：ABS210 品牌：ASEMI 封装：ABS-4 电性参数：2A 1000V 正向电流：2A 反向耐压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：小方桥、贴片桥堆 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 整流桥堆就是由两个或四个二极管组成的整流器件。桥
编辑-Z 肖特基二极管MBR20100FCT的优势包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，MBR20100FCT正向导通和正向压降低于PN结二极管（低约0.2V）。 2) 由于MBR20100FCT是多数载流子导电器件，因此不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。MBR20100FCT的反向恢复时间只是肖特基势垒
关于3.3V低压TVS二极管，之前一直科普的是SMF3.3A，单向、电压3.3V、功率200W、封装SOD-123，常用电路保护器件型号之一。接下来，TVS厂家东沃电子DOWOSEMI要为大家分享的是另一款3.3V低压瞬态抑制二极管SMBJ3.3A，从特性、参数方面带您认识SMBJ3.3A。 SMBJ3.3A二极管特性 ·Glass passi
编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT是电子产品生产中不可缺少的重要保护器件，MBR20100FCT尤其广泛应用于便携式电子产品和开关电源，深受电子行业的喜爱。然而，在肖特基二极管市场，如何选择合适产品的肖特基二极管呢？ MBR20100FCT参数描述 型号：MBR20100FCT 封装：TO-220 特性：大功率肖
编辑-Z MBR10100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10100FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10100FCT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为100V，正向电压(VF)
编辑-Z SFP6006在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。SFP6006的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFP6006采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFP6006的电性参数是：正向电流(Io)为60A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，其中
编辑-Z SF58参数描述 型号：SF58 封装：DO-27 特性：小电流、直插超快恢复二极管 电性参数：5A 600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：5A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.70V 浪涌电流Ifsm：125A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：35ns 引线数量：2 SF58的电性参数：正向平均电流5A；反
编辑-Z UF4007在DO-41封装里采用的1个芯片，是一款小封装快恢复二极管。UF4007的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UF4007采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。UF4007的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.7V，其中有2条
编辑-Z 整流二极管10A10是一种用于将交流电转换为直流电的半导体器件。二极管10A10最重要的特性是它的单向导电性。在电路中，电流只能从二极管的阳极流入，从阴极流出。通常它包含一个带有两个端子的 PN 结，一个正极和一个负极。硅整流二极管10A10击穿电压高，反向漏电流小，耐高温性能好
题库来源：安全生产模拟考试一点通公众号小程序 安全生产模拟考试一点通：电工（初级）复审考试根据新电工（初级）考试大纲要求，安全生产模拟考试一点通将电工（初级）模拟考试试题进行汇编，组成一套电工（初级）全真模拟考试试题，学员可通过电工（初级）证考试全真模拟，进行电工（初级）自测。 1、【单选题】
TVS瞬态抑制二极管SMF24A、SMF24CA、TPSMF24A、SMF4L24A、SMAJ24A、SMAJ24CA、TPSMAJ24A、TPSMAJ24CA、SA24A、SA24CA、SMBJ24A、SMBJ24CA、SMA6J24A、SMA6J24CA、TPSMBJ24A、TPSMBJ24CA、SMB10J24A、SMB10J24CA、SMCJ24A、SMCJ24CA、TPSMCJ24A、TPSMCJ24CA、3KP24A、3KP24CA、SMD
TTL电平有多种，如5V,3.3V,2.5V,1.8V，以下以3.3V、1.8V的UART电平转换为例 1. 方式一，使用二极管方式 2. 方式二，使用电阻分压 总结： 1. 这里的电路仅是作为一种临时可用的电平转换电路，其中第一种亲测速率可支持115200，D1使用的是肖特基二极管 2. D1选择压降小的二极管 3.
从事汽车电子EMC电子工程师知道，汽车电子系统中有很多瞬态浪涌，不仅会影响甚至还会损坏电子设备，车载电子设备供电电源线上面的瞬态浪涌干扰，是其中之一。电源线上的瞬态浪涌主要来自电感的能量释放，前置动作是开关的闭合或打开。电感可能是来源于感性的负载、线路杂散电感等，常人可能会
编辑-Z SFF806A在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，是一款超快恢复二极管。SFF806A的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFF806A采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SFF806A的电性参数是：正向电流(Io)为8A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，其
编辑-Z MBR20100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR20100FCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR20100FCT采用Mikron芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20100FCT的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为100V，正向电压
编辑-Z 一、什么是MBR10100FCT肖特基二极管 肖特基二极管MBR10100FCT（肖特基势垒二极管）：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受 RC 时间
编辑-Z MBR10200FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10200FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10200FCT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为
编辑-Z MBR10200FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10200FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10200FCT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为200V，正向电压(VF)
编辑：ll MBR20100FCT低压降肖特基二极管ASEMI原装 型号：MBR20100FCT 品牌：ASEMII 封装：TO-220 电性参数：20A 100V 正向电流：20A 反向耐压：100V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：肖特基二极管 浪涌电流：150A 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 肖特基二极管MBR20100FCT参数规格：
编辑：ll MBR20200FCT-ASEMI塑封MBR系列肖特基二极管 型号：MBR20200FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：20A 电压：200V 正向电压：0.87V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：102MIL 漏电流：10uA 特性：肖特基二极管 工作温度：-55~+150℃ MBR20200FCT的电性参数：最大正向平均电流20A；最大反向峰值电压200V
