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中国科学院微电子所在新型存储器领域取得重要进展中国科学院微电子研究所刘明院士团队在新型存储器领域取得了重要进展，开发了一种基于 TiN/TiOxNy/TiOx/NbOx/Ru 结构的非细丝型自选通阻变存储器 (RRAM)。该存储器具有高速度、高密度、低功耗、高耐久性和可靠性等优点，有可能彻底改变存储器行业。
该存储器采用了一种新型的结构，其中 TiN 层位于 TiOxNy 层的顶部，TiOx 层位于 TiN 层的顶部，NbOx 层位于 TiOx 层的顶部，Ru 层位于 NbOx 层的顶部。该结构具有以下优点：
高速度：该存储器的写入和读取速度都很高，这使其适用于高速运算应用。
高密度：该存储器具有高密度，这使其适用于大容量存储应用。
低功耗：该存储器具有低功耗，这使其适用于可穿戴设备和其他便携式电子设备应用。
高耐久性：该存储器具有高耐久性，这使其适用于工业应用。
可靠性：该存储器具有高可靠性，这使其适用于安全应用。
中国科学院微电子研究所刘明院士团队开发的新型存储器的更多细节：
* 该存储器是一种基于 TiN/TiOxNy/TiOx/NbOx/Ru 结构的非细丝型自选通阻变存储器 (RRAM)。
* RRAM 是一种新型非易失性存储器，具有高速度、高密度和低功耗的优点。
* 该团队在 16 层三维垂直结构上实现了该存储器，这使得其具有更高的空间密度。
* 该存储器还具有高耐久性和可靠性，这使得其具有广泛的应用前景。
以下是该存储器的一些潜在应用：
* 内存
* 存储
* 计算
* 传感器
* 人工智能
该存储器的开发是一项重大突破，有可能彻底改变存储器行业。它具有高速度、高密度、低功耗、高耐久性和可靠性等优点，使得其具有广泛的应用前景。
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