标签:嵌入式 DRAM MRAM everspin SSD 1Gb
everspin提供8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样,时序上的差异使得其难以成为DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。
最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力,但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。
低容量的特性,使得MRAM组件更适用于嵌入式系统,其中SoC和ASIC可更容易地设计兼容的DDR控制器。
目前行业内已通过MRAM来部分替代DRAM,比如IBM就在去年推出了Flash Core模块,以及希捷在FMS2017上展示的原型。
当然我们并不指望mram专用存储设备可以迅速在市面上普及(SSD或NVDIMM)。毕竟市面上的混合型SSD,仍依赖于NAND闪存作为主要存储介质。
作为与格罗方德合作生产的第二款分立型MRAM器件,他们还在GloFo的22nmFD-SOI工艺路线图中嵌入了MRAM。
鉴于该工厂取消了7nm和更低制程的计划,包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。
标签:嵌入式,DRAM,MRAM,everspin,SSD,1Gb 来源: https://blog.51cto.com/14618340/2472273
本站声明: 1. iCode9 技术分享网(下文简称本站)提供的所有内容,仅供技术学习、探讨和分享; 2. 关于本站的所有留言、评论、转载及引用,纯属内容发起人的个人观点,与本站观点和立场无关; 3. 关于本站的所有言论和文字,纯属内容发起人的个人观点,与本站观点和立场无关; 4. 本站文章均是网友提供,不完全保证技术分享内容的完整性、准确性、时效性、风险性和版权归属;如您发现该文章侵犯了您的权益,可联系我们第一时间进行删除; 5. 本站为非盈利性的个人网站,所有内容不会用来进行牟利,也不会利用任何形式的广告来间接获益,纯粹是为了广大技术爱好者提供技术内容和技术思想的分享性交流网站。