标签：cell End cells CAP Cell corner boundary inside left
本公众号【读芯树：duxinshu_PD】主要介绍数字集成电路物理设计相关知识，才疏学浅，如有错误，欢迎指正交流学习。
这是集成电路物理设计的第一个系列【physical cell】的第一篇文章，也是本公众号的第一篇文章，从boundary cell说起：
1，什么是boundary cell？
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boundary cell也叫做endcap cell, 一般会放置在floorplan的四周，ROW的边界。
2，为什么需要insert boundary cell?
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在芯片制造的过程中，最边界的standard cell最容易受到损伤，为减少standard cell的制造过程中的损伤，需要在边界放置boundary cell，boundary cell有dummy poly gate，当制造过程中的损伤发生在边界时，boundary cell的损伤不会影响正常standard cell的功能。
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如果没有在边界放置boundary cell， 可能会对芯片的功能造成不可逆的损伤。
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在well和implant 层之间不能有gap，否则会有drc，boundary cell保证了well和implant 层之间没有gap。
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boundary cell的poly extension保证了standard cell的source/drain不会出现在边界。
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boundary cell放置在row的边界同时保证了边界的well tie的需求。
3，boundary cell的layout是什么样的？
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boundary cell没有logic pin，只有VDD/GND的连接；
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boundary cell在最左或者右侧扩展NWELL来减小well proximity effects (WPE 见5)。
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boundary cell有dummy poly用于保护standard cell 的gate。
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boundary cell的poly layer会被切断 （Poly Cut layer）
4，如何在floor plan阶段insert boundary cell？
FC/ICC2 cmd:
>set_boundary_cell_rules \ -top_boundary_cells "BOUNDARYPROW* \ -bottom_boundary_cells "BOUNDARYPROW* \ -left_boundary_cell "BOUNDARYLEFT*" \ -right_boundary_cell "BOUNDARYRIGHT*" \ -top_right_outside_corner_cell "BOUNDARYPCORNE*" \ -bottom_right_outside_corner_cell "BOUNDARYPCORNER*" \ -top_left_outside_corner_cell "BOUNDARYPCORNER*" \ -bottom_left_outside_corner_cell "BOUNDARYPCORNER*" \ -top_right_inside_corner_cells "BOUNDARYPINCORNER*" \ -bottom_right_inside_corner_cells "BOUNDARYPINCORNER*" \ -top_left_inside_corner_cells "BOUNDARYPINCORNER* \ -bottom_left_inside_corner_cells "BOUNDARYPINCORNER*" \ -top_left_inside_horizontal_abutment_cells "BOUNDARYPROWLGAP*" \ -bottom_left_inside_horizontal_abutment_cells "BOUNDARYPROWLGAP*" \ -top_right_inside_horizontal_abutment_cells "BOUNDARYPROWRGAP*" \ -bottom_right_inside_horizontal_abutment_cells "BOUNDARYPROWRGAP*"\ -mirror_left_inside_corner_cell \ -mirror_left_outside_corner_cell \ -segment_parity {horizontal_odd vertical_even} \ -min_vertical_jog 0.042 \ -min_horizontal_jog 0.612 \ -min_vertical_jog 0.042 \ -min_horizontal_jog 0.612 \ -min_vertical_separation 0.21 \ -min_horizontal_separation 2.397>compile_boundary_cells
>check_boundary_cell
Innovus cmd:>setEndCapMode -reset>setEndCapMode \
-rightEdge BOUNDARYLEFT* \ -leftEdge BOUNDARYRIGHT*\ -leftTopCorner BOUNDARYPCORNER*\ -leftBottomCorner BOUNDARYPCORNER* \ -rightTopCorner BOUNDARYPCORNER*\ -rightBottomCorner BOUNDARYPCORNER* \ -topEdge {BOUNDARYPROW8* BOUNDARYPROW4*BOUNDARYPROW2* BOUNDARYPROW1*} -bottomEdge {BOUNDARYPROW8* BOUNDARYPROW4* BOUNDARYPROW2* BOUNDARYPROW1*} -rightTopEdge BOUNDARYPINCORNER* \ -rightBottomEdge BOUNDARYPINCORNER* \ -leftTopEdge BOUNDARYPINCORNER* \ -leftBottomEdge BOUNDARYPINCORNER* \ -rightTopEdgeNeighbor BOUNDARYPROWRGAP*\ -rightBottomEdgeNeighbor BOUNDARYPROWRGAP*\ -leftTopEdgeNeighbor BOUNDARYPROWLGAP*\ -leftBottomEdgeNeighbor BOUNDARYPROWLGAP*\ >addEndCap >verifyEndCap -report endcap.rpt
5, 什么是阱临近效应（WPE: Well Proximity Effect）
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WPE会影响芯片的性能和良率。
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在芯片制造的过程中，会出现各种制造的二级效应，靠近阱边界的晶体管和非边界的晶体管的性能相比有很大的不同，这会造成晶体管速度有+/-10%的差异。
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离子注入阱的过程中，在阱边界（光刻胶）会造成注入离子的反射散射，位于阱边界的晶体管有不同的离子注入情况，这会造成该晶体管不同的性能表现。
6,参考文献
1，fusion compiler/ IC Compiler 2 user guide
2，innovus user guide
标签：cell,End,cells,CAP,Cell,corner,boundary,inside,left 来源： https://www.cnblogs.com/duxinshupd/p/15925167.html
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